Nakon potvrde postojanja Xiaomi 12 Ultra, uređaj je sada službeno u sljedećoj fazi životnog ciklusa prije izdanja, a to su curenja i glasine. A ovo novo curenje se odnosi na procesor koji pokreće Xiaomi 12 Ultra, za koji se očekuje da će biti nadolazeći Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1+.
Vijest dolazi od leakera Digital Chat Station. U objavi na Weibu spominju da Xiaomi L2S, broj modela 2206122SC, nosi još nenajavljeni Qualcomm SM8475 čipset ispod haube. Leaker također otkriva da se lansiranja uređaja očekuje u trećem tromjesečju 2022.
Za one koji nisu svjesni, u ranijem curenju, Xiaomi L2S je uočen kao Xiaomi 12 Ultra u IMEI bazi podataka, a Qualcomm SM8475 čipset je nasljednik Qualcomm SM8450 (ili poznatijeg kao Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1). Priča se da će se Qualcomm SM8475 zvati Snapdragon 8 Gen 1+, a očekuje se da će ovaj put biti proizveden prema TSMC-ovom 4nm procesu umjesto Samsungovog 4nm.
Ovo curenje služi kao dobrodošlo iznenađenje za one koji su odugovlačili s kupnjom Xiaomi 12 i 12 Pro i umjesto toga odlučili pričekati Xiaomi 12 Ultra. Iako su recenzije Xiaomi 12 i 12 Pro bile sveukupno pozitivne. Bilo da se radi o kamerama, zaslonima ili audio doživljaju, oba telefona imaju sve. Međutim, oba telefona imaju veliki problem koji se nije mogao riješiti ažuriranjem softvera, a to je Snapdragon 8 Gen 1 čip koji pokreće oba uređaja.
Čip Snapdragon 8 Gen 1 bio je sklon pregrijavanju, problemima s pražnjenjem baterije, pa čak i termičkim prigušivanjem na mnogim uređajima kao što su Xiaomi 12, 12 Pro, Motorola Edge X30 i Realme GT 2 Pro. Mnogi su nedostatke čipa pripisali tomu što je bio proizveden Samsung LSI-ovim 4nm procesom.
To je zato što prethodni Qualcommovi vodeći čipovi poput Snapdragona 870, Snapdragona 865 i Snapdragona 855 nisu pokazivali ove probleme kao 8 Gen 1, a sva 3 su bila stvorena pod TSMC-om.
I sa sve većim pritužbama i proizvođača i potrošača telefona, Qualcomm se navodno vraća TSMC -u za svoj čipset Snapdragon 8 Gen 1+, a bit će proizveden u TSMC-ovom najnovijem 4nm procesu koji tvrdi da donosi bolju kontrolu topline, bolju energetsku učinkovitost i bolje performanse od svog prethodnika.